首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI1551DL-T1

SI1551DL-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOT-363-6
数量：
 234  
说明：
 MOSFET 20V 0.3/0.44
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI1551DL-T1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：10 ns at N Channel, 8.5 ns at P Channel
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
上升时间：30 ns at N Channel, 20 ns at P Channel
功率耗散：300 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：30 ns at N Channel, 20 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.9 Ohms, 0.99 Ohms
漏极连续电流：0.3 A, 0.44 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1551DL-T1的详细信息，包括SI1551DL-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC