SH8J66TB1

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: 8-SOP
数量：: 7126
说明：: MOSFET Pch+Pch -30V -9A MOSFET

一、本商品被浏览0次.

SH8J66TB1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

功率耗散：2 W
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：11 S
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
漏极连续电流：9 A
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是SH8J66TB1的详细信息，包括SH8J66TB1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：