SH8M4TB1

厂家:
  ROHM Semiconductor
封装:
 8-SOP
数量:
 4887  
说明:
 MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET
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SH8M4TB1-8-SOP图片

SH8M4TB1 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:2 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :7 S
包装形式:Reel
封装形式:SOP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):17 mOhms
漏极连续电流:9 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor

以上是SH8M4TB1的详细信息,包括SH8M4TB1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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