点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率耗散:2 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3.5 S
包装形式:Reel
封装形式:SOP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):46 mOhms
漏极连续电流:4.5 A
汲极/源极击穿电压:45 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是SH8K22TB1的详细信息,包括SH8K22TB1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!