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中文参数如下：
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：51 毫欧 @ 5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A, 4.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：3.9nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：230pF @ 10V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
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