点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：12 ns
功率耗散：1.25 W
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSMT-5
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：215 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 1.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是QS6J3TR的详细信息，包括QS6J3TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
