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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：15 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：18 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
功率耗散：1.25 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：TSMT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.26 Ohms
漏极连续电流：1.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：+ 30 V, - 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
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