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QS6K1TR

厂家：
  Rohm Semiconductor
封装：
 TSMT6（SC-95）
数量：
 1467  
说明：
 MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
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QS6K1TR-TSMT6（SC-95）图片

QS6K1TR PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型2 个 N 沟道（双）
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C238 毫欧 @ 1A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 77pF @ 10V
功率 - 最大1.25W
安装类型表面贴装

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