QS6K1TR

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TSMT6(SC-95)
数量:
 1467  
说明:
 MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
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中文参数如下:
FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C238 毫欧 @ 1A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 77pF @ 10V
功率 - 最大1.25W
安装类型表面贴装

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