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中文参数如下： 典型关闭延迟时间：16 ns 上升时间：8 ns 功率耗散：1.25 W 最小工作温度：- 55 C 下降时间：8 ns 包装形式：Reel 封装形式：TSMT-6 安装风格：SMD/SMT 最大工作温度：+ 150 C 配置：Dual 电阻汲极/源极 RDS（导通）：420 mOhms at 4.5 V 漏极连续电流：1 A 闸/源击穿电压：12 V 汲极/源极击穿电压：45 V 晶体管极性：N-Channel RoHS：是 产品种类：MOSFET 制造商：ROHM Semiconductor
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