PTFB211503EL V1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-33288-6
数量:
 3213  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PTFB211503EL V1-H-33288-6图片

PTFB211503EL V1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:FB211503ELV1NP PTFB211503ELV1XWSA1 SP000706406
系列:PTFB211503
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.08 Ohms
最小工作温度:- 40 C
封装形式:H-33288-6
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:10 V
漏极连续电流:1.2 A
汲极/源极击穿电压:65 V
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

以上是PTFB211503EL V1的详细信息,包括PTFB211503EL V1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC