PTFB211503EL V1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-33288-6
数量：: 3213
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9

一、本商品被浏览0次.

PTFB211503EL V1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FB211503ELV1NP PTFB211503ELV1XWSA1 SP000706406
系列：PTFB211503
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
最小工作温度：- 40 C
封装形式：H-33288-6
最大工作温度：+ 125 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：1.2 A
汲极/源极击穿电压：65 V
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

以上是PTFB211503EL V1的详细信息，包括PTFB211503EL V1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管