PTFA260451EV1R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 
数量:
 2952  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 45 W 2.62-2.68 GHz
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PTFA260451EV1R250 PDF参数资料

中文参数如下:

零件号别名:FA260451EV1R25XT
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.16 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:196 W
包装形式:Reel
闸/源击穿电压:- 0.5 V to 12 V
汲极/源极击穿电压:65 V
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

以上是PTFA260451EV1R250的详细信息,包括PTFA260451EV1R250厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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