PTFB082817FH V1 R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-34288-4/2
数量:
 2979  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 LD9 280W 30V 791-821MHz
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PTFB082817FH V1 R250 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FB082817FHV1R25NT PTFB082817FHV1R250XTMA1 SP000891182
系列:PTFB082817
安装风格:SMD/SMT
封装形式:H-34288-4/2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:10 V
漏极连续电流:2.15 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:60 W
增益:19.3 dB
频率:791 MHz to 821 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
制造商:Infineon

以上是PTFB082817FH V1 R250的详细信息,包括PTFB082817FH V1 R250厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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