PTFA261702E V1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-30275-4
数量：: 6219
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA261702E V1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：H-30275-4
封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线
安装类型：表面贴装型
电压 - 额定：65 V
功率 - 输出：170W
电流 - 测试：1.8 A
噪声系数：-
额定电流（安培）：10μA
电压 - 测试：28 V
增益：15dB
频率：2.66GHz
配置：-
技术：LDMOS
产品状态：停产
包装：-
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

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