PTFA211801E V5

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-33288-6
数量：: 6003
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz

一、本商品被浏览0次.

PTFA211801E V5 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FA211801EV5XP PTFA211801EV5XWSA1 SP000841128
系列：PTFA211801
安装风格：SMD/SMT
封装形式：H-33288-6
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：1.3 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：180 W
增益：17.5 dB
频率：2170 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
制造商：Infineon

以上是PTFA211801E V5的详细信息，包括PTFA211801E V5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管