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中文参数如下:
零件号别名:FA212001EV4XP PTFA212001EV4XWSA1 SP000376078
工厂包装数量:35
系列:PTFA212001
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:625 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tray
封装形式:H-36260-2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:1.6 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:200 W
增益:15.8 dB
频率:2170 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon
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