PTFA212001F V4 R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-37260-2
数量：: 6066
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz

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中文参数如下：

零件号别名：FA212001FV4R25XT PTFA212001FV4R250XTMA1 SP000393372
工厂包装数量：250
系列：PTFA212001
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：625 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Reel
封装形式：H-37260-2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：1.6 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：200 W
增益：15.8 dB
频率：2170 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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