PTFA220081M V4-T

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SON-10
数量：: 2934
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA220081M V4-T PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PTFA220081MV4XUMA1
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：PG-SON-10
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：100 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：8 W
增益：17 dB
频率：0.7 GHz to 2.2 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
制造商：Infineon

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