PTFA180701F V4 R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-37265-2
数量:
 5688  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 1805-1880 MHz
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PTFA180701F V4 R250 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FA180701FV4R25XT
工厂包装数量:250
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.125 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:201 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Reel
封装形式:H-37265-2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:550 mA
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:70 W
增益:16.5 dB
频率:1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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