PTFA081501FV1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-31248-2
数量：: 2610
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA081501FV1 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：449 W
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tray
封装形式：H-31248-2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：950 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：150 W
增益：18 dB
频率：864 MHz to 900 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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