PTFA082201FV1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-37260-2
数量：: 2628
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

一、本商品被浏览0次.

PTFA082201FV1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

功率耗散：700 W
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tray
封装形式：H-37260-2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：1.95 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：220 W
增益：18 dB
频率：869 MHz to 894 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

以上是PTFA082201FV1的详细信息，包括PTFA082201FV1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管