PTFA082201F V4

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-37260-2
数量:
 5472  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PTFA082201F V4-H-37260-2图片

PTFA082201F V4 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:FA082201FV4XP PTFA082201FV4XWSA1 SP000376063
工厂包装数量:40
系列:PTFA082201
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.04 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:700 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tray
封装形式:H-37260-2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:1.95 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:220 W
增益:18 dB
频率:869 MHz to 894 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

以上是PTFA082201F V4的详细信息,包括PTFA082201F V4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC