PSMN3R0-60BS,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 D2PAK
数量:
 45  
说明:
 MOSFET Std N-chanMOSFET
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PSMN3R0-60BS,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:800
功率耗散:306 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.2 mOhms
漏极连续电流:100 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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