PSMN3R0-60BS,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: D2PAK
数量：: 45
说明：: MOSFET Std N-chanMOSFET

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PSMN3R0-60BS,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：306 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.2 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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