PSMN3R3-80PS,127

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-220-3
数量：: 2165
说明：: MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET

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PSMN3R3-80PS,127 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：43 ns
功率耗散：338 W
栅极电荷 Qg：135 nC
下降时间：44 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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