PSMN3R2-40YLDX

厂家:
  Nexperia USA Inc.
封装:
 LFPAK56,Power-SO8
数量:
 5634  
说明:
 MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
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PSMN3R2-40YLDX PDF参数资料

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中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):115W(Ta)
FET 功能:肖特基二极管(体)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4103 pF @ 20 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):57 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.05V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Ta)
漏源电压(Vdss):40 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:TrenchMOS?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Nexperia USA Inc.

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