PSMN3R2-40YLDX

厂家：: Nexperia USA Inc.
封装：: LFPAK56，Power-SO8
数量：: 5634
说明：: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：115W（Ta）
FET 功能：肖特基二极管（体）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4103 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.05V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Ta）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：TrenchMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Nexperia USA Inc.

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