PSMN3R0-60ES,127

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: I2PAK
数量：: 4158
说明：: MOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET

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PSMN3R0-60ES,127 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：77 ns
工厂包装数量：50
上升时间：26 ns
功率耗散：306 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：130 nC
下降时间：22 ns
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
漏极连续电流：83.4 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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