NTMS4917NR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 8649
说明：: MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM

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中文参数如下：

上升时间：6.3 ns
功率耗散：1.28 W
栅极电荷 Qg：15.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：19 S
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 mOhms
漏极连续电流：7.1 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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