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NTMS4P01R2

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 7830
说明：: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

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中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 4.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)12V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1.15V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1850pF @ 9.6V
功率 - 最大790mW
安装类型表面贴装

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