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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:65 ns, 70 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:70 ns, 25 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :15 S
下降时间:90 ns, 55 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.026 Ohms
漏极连续电流:- 5.4 A
闸/源击穿电压:+/- 10 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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