首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NTMS4N01R2G

NTMS4N01R2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 7821
说明：: MOSFET 20V 4.2A N-Channel

一、本商品被浏览0次.

NTMS4N01R2G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：35 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：50 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.045 Ohms
漏极连续电流：4.2 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMS4N01R2G的详细信息，包括NTMS4N01R2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：