点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率耗散:1.36 W
栅极电荷 Qg:38.5 nC
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.4 mOhms
漏极连续电流:11.2 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTMS4937NR2G的详细信息,包括NTMS4937NR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!