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NTD5807NT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 2925  
说明：
 MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31mOhm
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NTD5807NT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：11.2 ns, 15.6 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：111 ns, 20.4 ns
功率耗散：33 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3.2 ns, 2 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.031 Ohms
漏极连续电流：23 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD5807NT4G的详细信息，包括NTD5807NT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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