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NTD5862N-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 7065  
说明：
 MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM
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NTD5862N-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：70 ns
功率耗散：115 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：60 ns
封装形式：DPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.4 mOhms
漏极连续电流：98 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD5862N-1G的详细信息，包括NTD5862N-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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