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NTD5865NT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 7110  
说明：
 MOSFET Single N-CH 60V 38A
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NTD5865NT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：52 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：23 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：6.9 S
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14 mOhms
漏极连续电流：38 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD5865NT4G的详细信息，包括NTD5865NT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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