NTD5867NLT4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 9488  
说明:
 MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
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NTD5867NLT4G PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:12.6 ns
功率耗散:36 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:15 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :8 S
下降时间:2.4 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK-4
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):39 mOhms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD5867NLT4G的详细信息,包括NTD5867NLT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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