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NTD4965N-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 IPAK-3
数量：
 7999  
说明：
 MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH
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NTD4965N-1G-IPAK-3图片

NTD4965N-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1.39 W, 2.6 W, 38.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：17.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：52 s
包装形式：Tube
封装形式：IPAK-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.7 mOhms
漏极连续电流：17.8 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4965N-1G的详细信息，包括NTD4965N-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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