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NTD4979N-35G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 I-PAK
数量：
 7308  
说明：
 MOSFET
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NTD4979N-35G-I-PAK图片

NTD4979N-35G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：2.56 W
封装形式：IPAK
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 mOhms
漏极连续电流：9 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4979N-35G的详细信息，包括NTD4979N-35G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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