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NTD4969NT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 6876  
说明：
 MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
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NTD4969NT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1.38 W, 2.56 W, 26.3 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：36 s
包装形式：Reel
封装形式：DPAK-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
漏极连续电流：12.7 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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