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NTD4970N-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 IPAK
数量：
 3900  
说明：
 MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM
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NTD4970N-1G-IPAK图片

NTD4970N-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：27.6 ns
功率耗散：2.55 W
栅极电荷 Qg：8.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：34 S
下降时间：5.7 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：21 mOhms
漏极连续电流：11.6 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4970N-1G的详细信息，包括NTD4970N-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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