NTD4960N-35G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: I-Pak
数量：: 6786
说明：: MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM

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NTD4960N-35G PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：20 ns
功率耗散：1.68 W
栅极电荷 Qg：11 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：48 S
下降时间：4 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 85 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.1 mOhms
漏极连续电流：11.1 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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