NTD4865N-1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: I-PAK
数量：: 2466
说明：: MOSFET PWR MSFT 25V 44A SINGLE N-CHNL

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NTD4865N-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：11.4 ns, 17.4 ns
上升时间：24.6 ns, 19 ns
功率耗散：1920 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：24.6 ns, 19 ns
包装形式：Rail
封装形式：DPAK-SL-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.9 mOhms
漏极连续电流：10.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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