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中文参数如下:
功率耗散:2.6 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :76 S
包装形式:Rail
封装形式:IPAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.7 m Ohms
漏极连续电流:79 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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