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中文参数如下:
功率耗散:2.6 W
栅极电荷 Qg:11 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :52 S
包装形式:Rail
封装形式:IPAK
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):8 mOhms
漏极连续电流:14 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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