点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:11.4 ns, 17.4 ns
上升时间:24.6 ns, 19 ns
功率耗散:1920 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:24.6 ns, 19 ns
包装形式:Rail
封装形式:IPAK-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10.9 mOhms
漏极连续电流:10.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTD4865N-35G的详细信息,包括NTD4865N-35G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!