NTD4863N-1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: I-PAK
数量：: 2412
说明：: MOSFET NFET 25V 49A 0.0093R DPAK

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NTD4863N-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13.5 ns, 20.2 ns
工厂包装数量：75
上升时间：19.7 ns, 16.5 ns
功率耗散：1950 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：19.7 ns, 16.5 ns
包装形式：Rail
封装形式：DPAK-SL-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.3 mOhms
漏极连续电流：11.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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