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NE4210S01-T1B-A

厂家：
  NEC/CEL
封装：
 SO-1
数量：
 3438  
说明：
 MOSFET Super Lo Noise HJFET
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NE4210S01-T1B-A PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：4000
功率耗散：165 mW
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.055 S
包装形式：Reel
封装形式：SO-1
安装风格：SMD/SMT
漏极连续电流：10 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
汲极/源极击穿电压：4 V
RoHS：是
制造商：NEC

以上是NE4210S01-T1B-A的详细信息，包括NE4210S01-T1B-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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