NE429M01-T1

厂家：: NEC/CEL
封装：: Mini-6
数量：: 6111
说明：: MOSFET Super Lo Noise HJFET

一、本商品被浏览0次.

NE429M01-T1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：125 mW
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.06 S
包装形式：Reel
封装形式：Mini-6
安装风格：SMD/SMT
漏极连续电流：10 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
汲极/源极击穿电压：2 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：NEC

以上是NE429M01-T1的详细信息，包括NE429M01-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：