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NE434S01-T1B

厂家：
  NEC/CEL
封装：
 SO-1
数量：
 3474  
说明：
 MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET
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NE434S01-T1B PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：4000
功率耗散：300 mW
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.085 S
包装形式：Reel
封装形式：SO-1
安装风格：SMD/SMT
漏极连续电流：80 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
汲极/源极击穿电压：4 V
RoHS：是
制造商：NEC

以上是NE434S01-T1B的详细信息，包括NE434S01-T1B厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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