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中文参数如下:
包装形式:Tape
封装形式:S0-1
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:165 mW
最大工作温度:+ 150 C
漏极连续电流:80 mA
闸/源击穿电压:- 3 V
漏源电压 VDS:4 V
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :40 mS
噪声系数:1 dB
增益:10 dB
频率:24 GHz
技术类型:HEMT
RoHS:是
产品种类:射频GaAs晶体管
制造商:CEL
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