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NDH8304P_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SSOT-8
数量：
 1584  
说明：
 MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
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NDH8304P_Q-SSOT-8图片

NDH8304P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：78 ns
上升时间：25 ns
功率耗散：0.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.061 Ohms
漏极连续电流：- 2.7 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDH8304P_Q的详细信息，包括NDH8304P_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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