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NDH8321C

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SSOT-8
数量：: 1602
说明：: MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode

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NDH8321C PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：48 ns at N Channel, 78 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
功率耗散：0.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.029 Ohms
漏极连续电流：+ 3.8 A, - 2.7 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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